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    • 专利摘要:
    提供在處理室內對載置基板的基板載置台進行加熱時，可抑制該基板載置台之熱變形的基板載置台或基板處理裝置。基板載置台，係由以下構成：發熱體；第1構件，由包含陶瓷及鋁的材料形成，圍繞著上述發熱體；及第2構件，由包含鋁，陶瓷成分之含有率低於上述第1構件的材料形成，覆蓋著上述第1構件之表面。
    公开号:TW201308485A
    申请号:TW101118770
    申请日:2012-05-25
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Toshiya Shimada；Kazuhiro Shimeno；Masakazu Sakata；Hidehiro Yanai；Tomihiro Amano；Yuichi Wada
    申请人:Hitachi Int Electric Inc；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    基板載置台，基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
    本發明係關於例如半導體積體電路裝置(以下稱IC)之製造裝置、亦即基板處理裝置，特別是在具備用於對製作有半導體積體電路的半導體基板(例如半導體晶圓)進行處理的處理室之基板處理裝置，於處理室內對載置著基板的基板載置台進行加熱時，可抑制該基板載置台之熱變形的基板載置台，使用該基板載置台的基板處理裝置，及使用該基板處理裝置的半導體裝置之製造方法。
    習知上，例如專利文獻1揭示，於處理室內係於載置基板的基板載置台內藏加熱器，藉由該加熱器對基板進行加熱、處理的基板處理裝置乃習知者。於該基板處理裝置，基板載置台主要以鋁製作，在考慮基板載置台之耐熱性而不致於產生熱變形之情況下，通常於約400℃以下使用。藉由不產生熱變形，而可對基板載置台上載置的基板進行均勻加熱。 [先行技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]特開2009-88347號公報
    近年來要求更高溫且均勻處理基板。欲達成此一目的，例如可考慮使用純鋁系之雜質少的合金作為基板載置台之材料。但是，純鋁系之雜質少的合金於高溫下，基板載置台表面會進行鋁之結晶化而產生皺紋狀之凹凸。該凹凸造成載置台表面載置的基板與加熱器間之距離之變化，無法對基板進行均勻之加熱等問題。
    又，可考慮以耐高溫性材質之A5052鋁合金作為基板載置台之材料使用。但是，A5052含有鎂(Mg)，於高溫狀態Mg會起氧化，導致基板載置台表面之變色。變色時，由加熱器放射的熱線之放射率會變化，加熱器無法升溫至所要之溫度。
    欲於更高溫可以進行基板處理，基板載置台之材料可考慮以不鏽鋼或氮化鋁(AlN)予以製作之方法，但彼等材料之熱傳導率比以鋁低，對基板加熱時導致溫度均勻性之降低。另外，亦為基板載置台全體之重量增加之要因，或大幅之成本增加之要因。
    本發明之目的在於提供，於處理室內對載置基板的基板載置台實施加熱時，可將基板設為高溫狀態，而且可進行均勻加熱的基板載置台或基板處理裝置，或者基板載置台之製造方法或半導體裝置之製造方法。
    解決上述課題之本發明之代表性基板載置台之構成如下。亦即，基板載置台，係具有：發熱體；第1構件，係由包含陶瓷及鋁的材料形成，圍繞著上述發熱體；及第2構件，係由包含鋁，陶瓷成分之含有率低於上述第1構件的材料形成，覆蓋著上述第1構件之表面；於上述第2構件之一面，係具備用於載置基板的載置面。
    本發明之代表性基板處理裝置之構成如下。亦即，基板處理裝置，係具備：處理室，用於處理基板；氣體供給部，用於對上述處理室內供給處理氣體；氣體排氣部，用於由上述處理室內實施氣體之排氣；及基板載置台，係設於上述處理室內；上述基板載置台，係具有：發熱體；圍繞著上述發熱體的第1構件；及覆蓋上述第1構件之表面的第2構件；上述第1構件，係由包含陶瓷及鋁的材料形成；上述第2構件，係由包含鋁，陶瓷成分之含有率低於上述第1構件的材料形成。
    本發明之代表性半導體裝置之製造方法之構成如下。亦即，半導體裝置之製造方法，係使用基板處理裝置者，該基板處理裝置係具備：處理室，用於處理基板；氣體供給部，用於對上述處理室內供給處理氣體；氣體排氣部，用於由上述處理室內實施氣體之排氣；及基板載置台，係設於上述處理室內；上述基板載置台，係具有：發熱體；圍繞著上述發熱體的第1構件；及覆蓋上述第1構件之表面的第2構件；上述第1構件，係由包含陶瓷及鋁的材料形成；上述第2構件，係由包含鋁、陶瓷成分之含有率低於上述第1構件的材料形成；具有以下工程：將基板搬入上述處理室內使基板載置於上述基板載置台的工程；藉由上述發熱體進行基板之加熱的加熱工程；由上述氣體供給部對上述處理室供給處理氣體的氣體供給工程；藉由上述氣體排氣部由上述處理室內實施氣體之排氣的排氣工程；及由上述處理室內將基板搬出的工程。
    依據上述之構成，於處理室內對基板載置台載置的基板進行加熱時，可以高溫進行均勻之加熱。
    於本實施形態，基板處理裝置之構成之一例，係說明半導體裝置(IC)之製造方法之處理工程之實施用的半導體製造裝置。以下，依據圖面說明本發明之1實施形態。
    圖1係表示本發明之實施形態之基板處理裝置10之全體構成圖，係基板處理裝置10由上方看到的概念圖。圖2係表示圖1所示基板處理裝置10之一部分之垂直斷面圖。
    如圖1或圖2所示，基板處理裝置10例如係以搬送室12為中心而配置真空隔絕室(load-lock chamber)14a、14b及2個處理室16a、16b，於真空隔絕室14a、14b之上流側配置在卡匣(cassette)等之承載器之間進行基板之搬送之大氣搬送室(EFEM：Equipment Front End Module)20。搬送室12係於真空環境中對基板進行搬送者，大氣搬送室20係於大氣中進行基板之搬送。大氣搬送室20係配置有例如3台基板收容器FOUP(收納容器)(未圖示)，可將25片基板於縱向隔開一定間隔予以收容。又，於大氣搬送室20，配置有在大氣搬送室20與真空隔絕室14a、14b之間針對例如各5片之基板之搬送的未圖示之大氣機器人。例如搬送室12、真空隔絕室14a、14b及處理室16a、16b係由鋁(A5052)形成。
    又，真空隔絕室14a與14b係配置於互呈對稱之位置，具有同樣之構成。又，處理室16a與16b亦配置於互呈對稱之位置，具有同樣之構成。
    以下，已真空隔絕室14a及處理室16a為中心加以說明。
    如圖2所示，於真空隔絕室14a，設置例如將25片之晶圓等之基板22於縱向隔開一定間隔予以收容的基板支持體(晶舟)24。基板支持體24，係由例如碳化矽構成，具有將上部板24c與下部板24d予以連接的例如3個支柱24a。於支柱24a之長邊方向內側例如使25個之載置部24b呈平行被形成。又，基板支持體24，矽於真空隔絕室14a內設為可於鉛直方向移動(上下方向移動)之同時，可以鉛直方向延伸之旋轉軸為軸進行旋轉。藉由基板支持體24於鉛直方向移動，而由後述真空機器人36之指部對38使各2片基板22同時被移載至分別設於基板支持體24之3個支柱24a的載置部24b之上面。又，藉由基板支持體24於鉛直方向移動，亦可使各2片基板22同時由基板支持體24被移載至指部對38。
    搬送室12，係設置有在真空隔絕室14a與處理室16a之間進行基板22之搬送的真空機器人36。真空機器人36係具有臂部37，於該臂部37設有由上指部38a及下指部38b構成之指部對38。上指部38a及下指部38b，係設為例如同一之形狀，於上下方向已特定之間隔被分離，由臂部37分別以略水平狀態朝同一方向延伸，可以分別同時支撐基板22。臂部37，可以鉛直方向延伸的旋轉軸為軸而旋轉之同時，可於水平方向移動，同時可以搬送2片之基板22。處理室16a，係於後述之腔室50之同一空間內設置基板載置台44a、44b。基板載置台44a與基板載置台44b之間之空間，係藉由間隔構件48隔開水平方向之一部分。處理室16a係構成為，可以經由真空機器人36使基板22分別載置於基板載置台44a、44b，而於腔室50之同一空間內同時進行2片之基板22之熱處理。
    接著，使用圖3~圖7說明處理室16a之概要。圖3係表示處理室16a之垂直斷面圖。圖4係表示處理室16a之斜視圖。圖5係表示處理室16a由上方看到之圖。圖6係表示基板保持銷74之說明圖。圖7係表示基板載置台44a之固定方法之說明圖。
    如圖3~圖5所示，處理室16a，係於裝置本體49之上部形成蓋53a、53b，於下方形成1個腔室50。氣體供給部51a、51b係供給處理氣體。腔室50，係構成為藉由未圖示之泵可設為例如0.1Pa左右之之真空。
    基板載置台44a、44b之內，在接近蓋53a、53b之面，設有基板載置面46a、46b。
    基板載置台44a、44b之各別之高度係設為低於腔室50內之高度，係於腔室50之同一空間內獨立配置，藉由固定構件52分別固定於裝置本體49。
    又，於基板載置台44a、44b被內藏發熱體、亦即加熱器45a、45b，例如可將基板升溫至470℃。
    基板載置台之詳細如後述。
    在和基板載置面46a、46b不同之方向，於基板載置台44a、44b之下方設置凸緣47a、47b。
    於凸緣47a、47b連接著被固定於裝置本體49的複數之支柱43，支柱43係之撐著各別之基板載置台44。
    該支持構造如後述。
    於基板載置台44a與基板載置台44b之間配置著上述間隔構件48。間隔構件48，係藉由例如鋁(A5052又A5056等)、石英或氧化鋁等形成，例如係對於裝置本體49設為可以裝拆自如的角柱狀之構件。
    於基板載置台44a、44b，係以包圍各別之周圍的方式，配置著由上面看成為環狀之排氣阻環(exhaust baffle ring)54a、54b配置。排氣阻環54a、54b，係於其之周圍設置多數之孔部56，可朝形成於基板載置台44a、44b之周圍的第1排氣空間58進行排氣。孔部56構成第1排氣口。又，於基板載置台44a、44b之下方，分別設置上視圖為圓形之第2排氣口60及第3排氣口62。主要由第1排氣口56或第2排氣口60及第3排氣口62，構成由處理室內實施氣體之排氣的氣體排氣部。
    於間隔構件48之一端側，配置著可對基板22進行搬送的機器人臂部70。機器人臂部70，係使上述臂部37搬送的基板22之其中之1片朝基板載置台44b搬送之同時，可由基板載置台44b回收而構成。機器人臂部70，係具有例如由氧化鋁陶瓷(純度99.6%以上)構成之指部72(指部72之基部，係為了位置、位準之調整而由金屬構成)，及軸部71，於軸部71設置有進行旋轉及昇降之2軸之驅動單元(未圖示)。指部72，係具有較基板22大的弧狀部72a，由該弧狀部72a朝中心延伸的3個突起部72b被隔開特定之間隔而設。軸部71，係構成為藉由水冷式之磁氣密封，在腔室50設為真空時可以遮斷大氣。
    又，間隔構件48及機器人臂部70，係以腔室50內之空間未被完全分離的方式被配置於腔室50內。
    因此，由氣體供給部51a、51b供給的處理氣體，係分別沿著腔室50內之基板載置台44a、44b所載置基板22流動，經由第1排氣口之孔部56，第1排氣空間58，第2排氣口60及第3排氣口62被排出。
    又，於基板載置台44a、44b，3個基板保持銷74分別貫穿於鉛直方向，由搬送室12經由真空機器人36被搬送的基板22係被載置於基板保持銷74。基板保持銷74，如圖6所示可以上下方向昇降。又，於基板載置台44a、44b，相對於基板載置台44a、44b之上面，係以使上述突起部72b可由上方至下方移動的方式，而於縱向(上下方向)分別設置3個溝部76。
    接著，使用圖7說明基板載置台44a、44b與支柱43之固定方法。基板載置台44a與44b為同一構造，因此說明基板載置台44a之例。圖7(a)為基板載置台44a之垂直斷面圖，圖7(b)為圖7(a)之部分擴大圖。內建於基板載置台44a的加熱器45a則省略圖示。
    基板載置台44a，係於其周圍具有環狀之凸緣47a，藉由支柱43之支持凸緣47a而支持基板載置台44a。支柱43，例如為不鏽鋼，其之下端部被插入、固定於裝置本體49。
    於基板載置台44a之底面之周圍，設置將凸緣47a之下部予以支撐的作為固定部之環部42。環部42為環狀之一體型構造，係由熱傳導率低，而且高溫亦不變形之材料形成，例如由不鏽鋼構成。環部42，係固著於基板載置台44a之底面。於環部42設置用於插入支柱43的插入口42a。
    支柱43係具有段差43a，藉由段差43a支撐環部42。支柱43之上部、亦即凸部43b，係貫穿插入口42a被嵌合於設於凸緣47a之下部的凹部。
    如上述說明，藉由環部42支撐基板載置台44a，因此基板加熱時，藉由加熱器45a使基板載置台44a被加熱，即使在容易變形之高溫狀態時，其變形亦可被抑制。又，環部42不固著於基板載置台44a之底面之構成亦可，但是為了更進一步抑制基板載置台44a之熱變形，較好是固著之構成。
    又，插入口42a之側面，係接觸支柱43之凸部43b之側面而構成。藉由該構成，可防止支柱43之傾斜。
    接著，使用圖8說明基板載置台44a之構造。基板載置台44b之構造係和基板載置台44a之構造同樣，因此僅說明基板載置台44a之例。
    於圖8，於上視圖中，81為螺旋狀之鎳鉻合金線等之電阻加熱用之加熱器，82為包圍加熱器81而設置的第1構件，83為包圍第1構件而設置的第2構件，85為將對加熱器81供給電力的給電線予以收容的加熱器配線用軟管，基板載置台44a係由環部42支持。環部42，係熱變形較第1構件82小的第3構件，為如圖8所示幅度之環狀之板。
    第2構件83之上面，係作為基板之載置用的載置面而構成。
    第1構件82，至少為鋁、陶瓷之複合材，本實施形態中設為鋁、矽、陶瓷之複合材，第1構件82中之陶瓷之體積比率為20~50%。於第1構件82含有陶瓷，則比起鋁可縮小熱膨脹，可抑制熱變形。亦即，可防止基板載置台44a之載置面之變形。因此，基板載置台44a所載置的基板，可以再現性良好地承受加熱器81產生之熱線。
    又，陶瓷雖以氧化鋁(Al2O3)或二氧化矽(SiO2)為主成分，但亦含少量之鈉(Na)等，其洩漏於腔室50內將成為金屬污染之原因。
    因此，第1構件82之陶瓷之比率多時會產生以下問題。
    第1問題，如後述說明，於基板載置台44a之製造時，陶瓷之比率多時會導致鋁難以被注入。結果，熱傳導性高的鋁被疏鬆地填入熱傳導性低的陶瓷之間。此情況下，基板載置台44a內之溫度分布成為不均勻，基板之面內之加熱均勻性會變低。又，基板載置台44a內之溫度分布依每一基板載置台44a而異，導致基板間之加熱均勻性變低。
    第2問題，陶瓷具有相當於斷熱材之作用，由加熱器81放射至基板的熱線會被片斷式遮斷，造成基板之加熱效率之降低。
    第3問題，陶瓷與鋁之複合材、亦即第1構件82，和鋁合金之第2構件83之間之熱膨脹係數差變大，第1構件82與第2構件83之接合面或第2構件83表層之鋁合金容易破損。
    就不引起以上之問題以及熱變形抑制之觀點而言，而將第1構件82中之陶瓷之比率設為20~50%。
    本實施形態中，第2構件83為鋁與矽之合金，矽之比率在矽與鋁之共晶點11.7wt%以下之鋁合金，其之陶瓷成分之含有率比起第1構件82為小。第2構件83中之陶瓷成分為0(零)亦可。如此則，藉由第2構件83覆蓋第1構件82表面，可抑制含有較多陶瓷的第1部材82所產生的金屬污染，該陶瓷為較多雜質(例如Na)者。
    又，第2構件83，係設為矽之比率在矽與鋁之共晶點11.7wt%以下之鋁合金，如此則，可以減低局部性之矽之析出。局部性之矽之析出之產生時，表面會出現斑點，基板載置台44a內之溫度分布成為不均勻，基板之面內之加熱均勻性變低。又，就鑄造之容易或強度提升之觀點而言，第2構件83較好是設為矽之比率在4.0wt%以上之鋁合金。
    第2構件83之鋁合金，其之熱膨脹率大於第1構件82之複合材。欲減少第1構件82與第2構件83之熱膨脹差之影響時，較好是薄化第2構件83，但亦需要考慮後述之加工性，因此本實施例中將第2構件83之厚度設為2~10mm之範圍。
    如圖7之說明所述，環部42(第3構件)，係設為熱傳導率低，而且高溫亦不變形之材料，例如設為不鏽鋼。亦即，環部42，其之熱傳導率較第1構件82或第2構件83低，而且，相較於第1構件82或第2構件83，即使在高溫亦不變形。第3構件42為，環形狀，在基板載置台44a之底面之周圍，以支撐凸緣47a之下部的方式被設置。支柱43係具有段差43a，藉由段差43a支撐環部42。支柱43之上部、亦即凸部43b，係貫穿插入口42a被嵌合於設於凸緣47a之下部的凹部。如上述說明，藉由環部42支撐基板載置台44a，因此藉由加熱器45a加熱基板載置台44a，即使在容易變形之高溫狀態時，基板載置台44a之變形亦可被抑制。
    又，如圖7之說明所述，第3構件42之插入口42a之側面，係接觸支柱43之凸部43b之側面而構成。藉由該構成，可防止支柱43之傾斜。
    另外，環部42比起第1構件82或第2構件83為熱傳導性低的材質，因此可防止來自第1構件82或第2構件83所構成之凸緣47a之局部性之熱放出。因此，可對基板載置面所載置的基板進行良好再現性之加熱。
    接著，使用圖9說明基板載置台44a之製作方法。基板載置台44b之製作方法，係和基板載置台44a之製作方法同樣。因此，為說明之方便，而省略凸緣47a之形成方法。
    首先，如圖9(a)所示，藉由陶瓷製之陶瓷板92挾持內建有加熱器的加熱器軟管91，將其放入容器95之中。陶瓷板92為多孔質，例如空孔率約80%。陶瓷板92之尺寸設為小於完成形之基板載置台44a之尺寸。
    接著，如圖9(b)所示，使矽之比率在矽與鋁之共晶點之11.7wt%以下之溶融鋁93流入容器95之中。溶融鋁93，係使矽與鋁之合金溶融者，如上述說明，較好是矽之比率為4wt%以上。
    接著，如圖9(c)所示，實施溶融鋁93之加壓，使溶融鋁93含浸於陶瓷板92中。加壓之理由為，僅使溶融鋁93流入容器95中，亦未能充分含浸於陶瓷板92中。因此藉由加壓可抑制在由溶融鋁93形成的矽與鋁之合金中產生稱為「巢」之空孔。
    藉由以上之工程，使陶瓷板92之周圍，藉由溶融鋁93所形成的矽與鋁之合金、亦即第2構件83予以覆蓋。接著，針對覆蓋陶瓷板92周圍的矽與鋁之合金，藉由切削加工等加工成為約2~10mm之厚度。陶瓷板92之尺寸矽較基板載置台44a之尺寸為小型，因此可防止陶瓷與鋁之複合材、亦即第1構件82之由基板載置台44a之表面露出。
    藉由以上說明之方法，可使加熱器之周圍被陶瓷與鋁之複合材、亦即第1構件覆蓋，又，可使第1構件之周圍，藉由矽之比率在矽與鋁之共晶點11.7wt%以下之鋁合金、亦即第2構件覆蓋，因此容易實現具有良好之溫度均勻性及經濟性，可升溫至例如470℃的基板載置台。
    對該方法製作的基板載置台實施溫度循環試驗結果發現，並未出現習知之鋁合金製之基板載置台出現的變色或皺紋。該溫度循環試驗，係重複進行升溫至450℃後降溫至200℃再度升溫至450℃之循環，針對450℃→200℃→450℃之循環進行40循環。
    接著，針對機器人臂部70搬送基板22之動作及本實施形態之半導體裝置之製造方法之一工程，亦即基板處理方法，使用圖10~圖12予以說明。
    於圖10~圖12，係表示機器人臂部70搬送基板22之經過。又，於圖10~圖12，為使機器人臂部70等之動作明確而未圖示基板22。
    首先，如圖10所示，真空機器人36之指部對38之上指部38a及下指部38b，係分別將基板由搬送室12搬送至腔室50內(2片之基板22同時搬送)，於基板載置台44a之上方停止。
    此時，機器人臂部70之指部72，係於基板載置台44a之上方位於2片之基板22間而呈待機。
    於指部對38停止之狀態下，貫穿基板載置台44a的3個基板保持銷74及機器人臂部70係移動至上方。因此，載置於下指部38b的基板22，係被移載至貫穿基板載置台44a的3個基板保持銷74，載置於上指部38a的基板22，係被移載至指部72。2片之基板22被移載後的指部對38，係回至搬送室12。
    接著，如圖11所示，機器人臂部70藉由軸部71之旋轉而使指部72移動至基板載置台44b之上方。
    如圖12所示，指部72之突起部72b分別沿著基板載置台44b之溝部76由上方朝下方移動，而使基板22傳遞至貫穿基板載置台44b的3個基板保持銷74。
    之後，機器人臂部70之指部72，被移動至基板載置面46b之更下方。機器人臂部70之指部72移動至下方後，貫穿基板載置台44a的3個基板保持銷74及貫穿基板載置台44b的3個基板保持銷74會移動至下方，下指部38b所搬送的基板22與上指部38a所搬送的基板22，大略以同一時序分別被載置於基板載置面46a及46b上。
    又，機器人臂部70，係以不妨礙氣體供給部51a、51b供給之氣體由上方流向下方之狀態，於基板22處理中亦位於腔室50內。
    各基板載置面46載置的基板22，係藉由加熱器45a、45b被加熱至所要之溫度，例如470℃。
    和基板之加熱處理並行地使處理氣體由氣體供給部51a、51b被供給。處理氣體例如係供給氮(N2)氣體。於供給的處理氣體之環境下使基板22被加熱，實施特定之熱處理。
    特定之熱處理終了後，由腔室50內將2片之基板22搬送至搬送室12。此時，機器人臂部70及指部對38，係以相反順序進行圖10~圖12說明的動作。
    依據以上說明的實施形態，至少可獲得以下之(1)~(7)之效果。
    (1)於處理室內對基板之載置用的基板載置台實施加熱時，藉由第1構件中之陶瓷可抑制基板載置台之熱變形，可對基板進行良好再現性之加熱。又，藉由第2構件可抑制第1構件中之陶瓷引起之金屬污染。
    (2)第2構件係藉由矽與鋁之混合材料形成，因此表面變色引起之放射率變化及結晶化引起之皺紋之發生可以被抑制，可以抑制基板載置台之變形，可對基板進行良好再現性之加熱。
    (3)第2構件為矽之比率在矽與鋁之共晶點11.7wt%以下者，因此可抑制矽之局部性之析出。
    (4)第2構件之厚度設為2~10mm之範圍，因此可減少與第1構件間之熱膨脹差之影響，可提升加工性。
    (5)第1構件或第2構件，其底面之至少周圍，係藉由熱變形較第1構件或第2構件小的第3構件、亦即不鏽鋼予以支持，因此能更進一步抑制第1構件或第2構件之熱變形。
    (6)第1構件或第2構件，其底面之至少周圍，係藉由熱傳導率較第1構件或第2構件低的第3構件、亦即不鏽鋼予以支持，因此可以抑制經由第3構件之局部性之熱散出，可進行基板之均勻加熱。
    (7)藉由上述之基板載置台之製造方法，容易實現發熱體之周圍藉由陶瓷與鋁之複合材、亦即第1構件予以覆蓋，另外，第1構件之周圍藉由陶瓷成分之含有率較第1構件低的第2構件予以覆蓋的基板載置台。
    又，本發明不限定於上述實施形態，在不脫離其之要旨範圍內可做各種變更。
    上述實施形態中，第2構件係包圍第1構件之構成，但亦可構成為僅針對暴露於處理室內所供給的處理氣體之基板載置台之部位予以覆蓋。藉由此一構成，金屬污染之抑制雖較上述實施形態稍微降低，但基板載置台之製作容易。
    又，於上述實施形態雖說明對晶圓等之基板實施處理，但處理對象可為光罩或印刷配線基板、液晶面板，光碟(Compact Disc)及磁碟等。
    本說明書之記載至少包含以下之發明。
    第1發明之基板載置台，係具有：發熱體；第1構件，係由包含陶瓷及鋁的材料形成，圍繞著上述發熱體；及第2構件，係由包含鋁，陶瓷成分之含有率低於上述第1構件的材料形成，覆蓋著上述第1構件之表面；於上述第2構件之一面具備用於載置基板的載置面。
    第2發明之基板載置台，係於上述第1發明記載的基板載置台之中，上述第2構件係藉由矽與鋁之混合材料形成。
    第3發明之基板載置台，係於上述第2發明記載的基板載置台之中，於上述第2構件，矽之比率為矽與鋁之共晶點11.7wt%以下。
    第4發明之基板處理裝置，係具備：處理室，用於處理基板；氣體供給部，用於對上述處理室內供給處理氣體；氣體排氣部，用於由上述處理室內實施氣體之排氣；及基板載置台，係設於上述處理室內；上述基板載置台，係具有：發熱體；圍繞著上述發熱體的第1構件；及覆蓋上述第1構件之表面的第2構件；上述第1構件，係由包含陶瓷及鋁的材料形成；上述第2構件，係由包含鋁，陶瓷成分之含有率低於上述第1構件的材料形成。
    第5之發明之基板處理裝置，係於上述第4之發明記載之基板處理裝置之中，上述第2構件，係至少覆蓋暴露於上述處理室內所供給之處理氣體的上述基板載置台之部位。
    第6之發明之基板處理裝置，係於上述第4或第5之發明記載之基板處理裝置之中，上述第1構件，其之底面之至少周圍，係藉由熱變形較上述第1構件小的第3構件予以支持。
    第7之發明之基板處理裝置，係於上述第4或第5之發明記載之基板處理裝置之中，上述第1構件，其之底面之至少周圍，係藉由熱傳導率較上述第1構件小的第3構件予以支持。
    第8之發明之基板載置台之製造方法，係具備：藉由陶瓷材料將發熱體予以挾持的發熱體挾持步驟；將挾持著上述發熱體的陶瓷材料，浸漬於溶融鋁中的鋁浸漬步驟；及針對浸漬於上述溶融鋁中的陶瓷材料，藉由對溶融鋁進行加壓使其含浸的鋁含浸步驟。
    第9之發明之半導體裝置之製造方法，係使用基板處理裝置的半導體裝置之製造方法，該基板處理裝置係具備：處理室，用於處理基板；氣體供給部，用於對上述處理室內供給處理氣體；氣體排氣部，用於由上述處理室內實施氣體之排氣；及基板載置台，係設於上述處理室內；上述基板載置台，係具有：發熱體；圍繞著上述發熱體的第1構件；及覆蓋上述第1構件之表面的第2構件；上述第1構件，係由包含陶瓷及鋁的材料形成；上述第2構件，係由包含鋁，陶瓷成分之含有率低於上述第1構件的材料形成；具有：將基板搬入上述處理室內使基板載置於上述基板載置台的工程；藉由上述發熱體進行基板之加熱的加熱工程；由上述氣體供給部對上述處理室供給處理氣體的氣體供給工程；藉由上述氣體排氣部由上述處理室內實施氣體之排氣的排氣工程；及由上述處理室內將基板搬出的工程。
    10‧‧‧基板處理裝置
    12‧‧‧搬送室
    14a、14b‧‧‧真空隔絕室
    16a、16b‧‧‧處理室
    20‧‧‧大氣搬送室
    22‧‧‧基板
    24‧‧‧基板支持體(晶舟)
    24a‧‧‧支柱
    24b‧‧‧載置部
    24c‧‧‧上部板
    24d‧‧‧下部板
    36‧‧‧真空機器人
    37‧‧‧臂部
    38‧‧‧指部對
    38a‧‧‧上指部
    38b‧‧‧下指部
    42‧‧‧環部
    42a‧‧‧插入口
    43‧‧‧支柱
    43a‧‧‧段差
    43b‧‧‧凸部
    44a、44b‧‧‧基板載置台
    45a、45b‧‧‧加熱器
    46a、46b‧‧‧基板載置面
    47a、47b‧‧‧凸緣
    48‧‧‧間隔構件
    49‧‧‧裝置本體
    50‧‧‧腔室
    51a、51b‧‧‧氣體供給部
    52‧‧‧固定構件
    53a、53b‧‧‧蓋
    54a、54b‧‧‧排氣阻環
    56‧‧‧孔部(第1排氣口)
    58‧‧‧第1排氣空間
    60‧‧‧第2排氣口
    62‧‧‧第3排氣口
    70‧‧‧機器人臂部
    71‧‧‧軸部
    72‧‧‧指部
    72a‧‧‧弧狀部
    72b‧‧‧突起部
    74‧‧‧基板保持銷
    76‧‧‧溝部
    [圖1]本發明之實施形態之基板處理裝置之全體構成圖，由上面看到的概念圖。
    [圖2]圖1所示基板處理裝置之一部分之垂直斷面圖。
    [圖3]圖1所示處理室16a之垂直斷面圖。
    [圖4]圖1所示處理室16a之斜視圖。
    [圖5]圖1所示處理室16a由上方看到之圖。
    [圖6]本發明之實施形態之基板保持銷74之說明圖。
    [圖7]本發明之實施形態之基板載置台之固定方法之說明圖。
    [圖8]本發明之實施形態之基板載置台之垂直斷面圖。
    [圖9]本發明之實施形態之基板載置台之製造方法之說明圖。
    [圖10]圖1所示處理室16a之基板搬送方法之說明圖。
    [圖11]圖1所示處理室16a之基板搬送方法之說明圖。
    [圖12]圖1所示處理室16a之基板搬送方法之說明圖。
    42‧‧‧環部
    81‧‧‧加熱器
    82‧‧‧第1構件
    83‧‧‧第2構件
    85‧‧‧加熱器配線用軟管
    权利要求:
    Claims (4)
    [1] 一種基板載置台，係具有：發熱體；第1構件，係由包含陶瓷及鋁的材料形成，圍繞著上述發熱體；及第2構件，係由包含鋁，陶瓷成分之含有率低於上述第1構件的材料形成，覆蓋著上述第1構件之表面；於上述第2構件之一面具備用於載置基板的載置面。
    [2] 一種基板處理裝置，係具備：處理室，用於處理基板；氣體供給部，用於對上述處理室內供給處理氣體；氣體排氣部，用於由上述處理室內實施氣體之排氣；及基板載置台，係設於上述處理室內；上述基板載置台，係具有：發熱體；圍繞著上述發熱體的第1構件；及覆蓋上述第1構件之表面的第2構件；上述第1構件，係由包含陶瓷及鋁的材料形成；上述第2構件，係由包含鋁，陶瓷成分之含有率低於上述第1構件的材料形成。
    [3] 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述第1構件，係藉由熱傳導率較上述第1構件低的第3構件，將其底面之至少周圍予以支持。
    [4] 一種半導體裝置之製造方法，係使用基板處理裝置的半導體裝置之製造方法，該基板處理裝置係具備：處理室，用於處理基板；氣體供給部，用於對上述處理室內供給處理氣體；氣體排氣部，用於由上述處理室內實施氣體之排氣；及基板載置台，係設於上述處理室內；上述基板載置台，係具有：發熱體；圍繞著上述發熱體的第1構件；及覆蓋上述第1構件之表面的第2構件；上述第1構件，係由包含陶瓷及鋁的材料形成；上述第2構件，係由包含鋁，陶瓷成分之含有率低於上述第1構件的材料形成；具有：將基板搬入上述處理室內使基板載置於上述基板載置台的工程；藉由上述發熱體進行基板之加熱的加熱工程；由上述氣體供給部對上述處理室供給處理氣體的氣體供給工程；藉由上述氣體排氣部由上述處理室內實施氣體之排氣的排氣工程；及由上述處理室內將基板搬出的工程。
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